今年以来半导体（中信）指数基本持平，从4月7日最高的收益率+31.4%，8月25日收益率年内最低为-8.8%，此后持续震荡至12月4日收益率为+1.9%。

从基本面角度看，全球半导体销售额增速于4月见底为-21.6%，此后开始进入上升通道，于9月从谷底升至-4.5%（数据来源：Wind）。基本面与此前预期一致，进入缓慢复苏的通道，同时全球半导体进入新一轮的周期。

展望后市：美股费城半导体指数已经跟随基本面从谷底走出，上涨至历史较高的位置。A股半导体指数还处于周期谷底，后续可乐观看待。

一、存储器

1、周期位置

存储作为较早走出周期低谷的细分领域，价格在3季度开始触底回升。主流型号DRAM 8Gb和TLC NAND 512G现货价在11月累计环比涨幅分别约2.0%和25.3%（数据来源：Wind）。

据咨询机构Trendforce预测，NAND Flash四季度合约价全面起涨，涨幅约8~13%，较此前预测的涨幅扩大，其中3D NAND Flash Wafer合约价预计季涨幅约13~18%。

由于国际存储大厂减产，存储器库存持续消化，价格企稳回升。展望2024年上半年预计储存器价格仍将有较好的表现，有望引领半导体新一轮周期到来。

2、HBM

北美时间2023年11⽉13⽇上午，全新的H200 GPU，以及更新后的GH200产品线正式发布。

对⽐H200与H100的规格，H200主要负责计算能⼒的核⼼单元部分规格并没有改变，算⼒规模完全⼀致，所带来的提升是显存容量从80GB提⾼到了141GB，显存的规格从原本的HBM3升级到了HBM3e，内存带宽也从3.35TB/s提升⾄4.8TB/s，使得运⾏⼤模型的综合性能相⽐前代H100提升了60%~90%。

HBM的全称是High Bandwidth Memory, 即高带宽内存，目前广泛应用于GPU芯片中。HBM采用的是3D堆叠的DRAM芯片结构。多颗DRAM芯片通过TSV技术和micro-bump，在垂直方向堆叠在一起。HBM芯片与CPU/GPU芯片通过interposer中的金属线实现信号互联，即CoWoS封装技术，从而实现大容量、高带宽的DDR组合阵列，通过增加带宽、扩展内存容量，让更大的模型、更多的参数留在离核心计算更近的地方，从而减少内存和存储解决方案带来的延迟。

目前全球HBM产能主要用于满足Nvidia和AMD的AI芯片需求。在AI的带动下，对于算力芯片的需求大幅提升，也导致了HBM供不应求价格飞涨的局面。尽管内存制造商投入大量资金扩产，但由于需求激增，HBM的短缺状况继续恶化。对应的A股市场中也在年中和最近演绎了HBM的主题行情。

从供给端看，2023年全年处于有些供不应求的状态。2024年随着AI芯片需要的大幅提升，HBM的产能将严重不足，因此厂商也开始大幅的扩产。

落实到国内，部分公司正在积极地研发HBM，希望在不久的将来可以看到产品推出。而本轮A股HBM行情相关的公司更多的是HBM供应量的参与者，从上游生产HBM的设备、原材料到中游的封测，以及最后的经销售商，整个产业链短期都有不错的表现。但由于大多数公司HBM相关的业务占比有限，还是要注意投资风险。

二、投资机会展望

1、Vision Pro：某公司于11月28日在上海举行“Apple Vision Pro开发者实验室”活动，各位开发者可体验在Apple Vision Pro上运行visionOS、iPadOS或iOS等应用。作为该公司首款混合现实MR产品，Vision Pro在光学、显示、交互、芯片等硬件及操作系统等多维度实现全方位功能升级，有望成为XR行业标杆性产品。该产品预计于2024年1月在北美发售，售价3499美元。第一代产品为了打造极致的效果硬件层面基本满配，但是售价过高可能会对于销量有所影响。后续随着生态逐渐完善，以及未来高性价比的产品推出，Vision Pro还是有望成为现象级产品。对于供应链的公司也可以保持期待。

2、存储：存储芯片价格已经开始触底回升，细分品类LPDDR5、HBM等产品价格已经大幅上涨。存储周期迎来上升通道，2024年有望看到存储厂稼动率的恢复。在国产替代和上升周期的双击下，存储行业有望迎来较好的表现。尤其是国产替代方面，在DRAM和3D NAND的高端产品品类中，部分国产厂商已经开始崭露头角，推出自己的产品。后续有望看到整个存储行业在国产替代背景下的大发展，产业链从设备、材料到封测以及模组端都有望迎来历史性的机遇。

3、消费电子：三季度以来随着华为Mate 60系列手机的发布，国内安卓系手机销量进入增长通道。多款手机一机难求，国内手机端率先迎来复苏。而手机零组件也相应开始涨价，OLED屏幕、CIS芯片、射频开关等都迎来了价格复苏。

作者：贺业林

兴华基金投资经理，复旦大学保险学硕士，重点覆盖消费电子、半导体、智能汽车等方向

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