催化明确&估值性价比高,半导体设备板块爆发

国泰基金 2026-01-06 19:40




市场表现

2026年1月6日(周二),上证再创十年新高,AI趋势强劲,半导体设备板块爆发。截至收盘,中证半导体材料设备指数涨幅达3.95%。






上涨因素分析

大盘环境良好,上证破十年新高。美股这边表现也不错。标普500指数昨日夜间上涨0.64%,纳斯达克指数上涨0.69%。

直接推动是存储的强势。据Trendforce最新消息,预估26Q1 DRAM、NAND合约价分别上涨55-60%、33-38%。此外,据韩国经济日报,三星与海力士DRAM涨价,今年一季度报价将较去年第四季度上涨60%-70%。存储涨价最直接的影响是带来存储扩产的预期。

深层逻辑是国产替代和需求爆发的共振。

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后市展望

“存储扩产+先进制程扩产”双重推动,无论是国产AI算力所需的先进制程扩产,还是全球算力驱动的全球存储景气,半导体设备都是突破产能瓶颈的核心资产。

半导体设备ETF具备“催化明确+估值较低”两大优势。估值方面,截至1月5日,半导体设备ETF标的指数PETTM为91.47x,位于上市以来75.56%分位,估值分位低于现在主流的其他半导体指数。

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数据来源:Wind,截至2025年1月5日。

不过提示一下,伴随涨幅累计,还是要开始注意回调风险了。


半导体设备ETF



159516



国泰中证半导体材料

设备主题ETF联接



A类:019632



C类:019633


风险提示



数据来源:Wind,截至2026/1/6,风险提示:指数短期涨跌幅仅供分析参考,不预示未来表现。市场观点将随各因素变化而动态调整,不构成投资者改变投资决策或选择具体产品的依据。上述ETF基金均属于股票型基金,其预期收益及预期风险水平高于混合型基金、债券型基金和货币市场基金。上述ETF基金均为指数型基金,主要采用完全复制策略,跟踪标的指数,其风险收益特征与标的指数所表征的市场组合的风险收益特征相似。上述联接基金的目标ETF均为股票型指数基金,其预期收益及预期风险水平理论上高于混合型基金、债券型基金和货币市场基金,基金主要通过投资于目标ETF跟踪标的指数表现,具有与标的指数以及标的指数所代表的证券市场相似的风险收益特征。投资人应充分了解基金定投和零存整取等储蓄方式的区别。基金定投是引导投资人进行长期投资、平均投资成本的一种简单易行的投资方式。但是基金定投并不能规避基金投资的固有风险,不能保证投资人获得收益,也不是替代储蓄的等效理财方式。投资者在投资前应仔细阅读《基金合同》、《招募说明书》、《产品资料概要》、风险揭示书等法律文件,了解基金的风险收益特征,并根据自身的投资目的、投资期限、投资经验、资产状况等判断基金是否和您的风险承受能力相适应。基金有风险,投资须谨慎。




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